SAMSUNG MZ-V9P1T0 SSD 1000GB M.2 7450MB/s PCI Express 4.0 NVMe - MZ-V9P1T0GW
DISCO-DURO-SSD-1000GB-M.2--SAMSUNG-MZ-V9P1T0-7450MB-s-PCI-Express-4.0-NVMe
MZ-V9P1T0GW

Descrição do Produto

SAMSUNG MZ-V9P1T0 SSD 1000GB M.2 7450MB/s PCI Express 4.0 NVMe

CustomGroup

CodArtSA4951
descripcion_htmlSamsung MZ-V9P1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7450 MB/s, Velocidad de escritura: 6900 MB/s, Componente para: PC

Especificaciones

Características
Factor de forma de disco SSD M.2
SDD, capacidad 1 TB
Interfaz PCI Express 4.0
NVMe Si
Tipo de memoria V-NAND MLC
Versión NVMe 2.0
Componente para PC
Encriptación de hardware Si
Soporte TRIM Si
Soporte S.M.A.R.T. Si
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
Función DevSleep Si
Lectura aleatoria (4KB) 1200000 IOPS
Características
Velocidad de escritura 6900 MB/s
Escritura aleatoria (4KB) 1550000 IOPS
Velocidad de lectura 7450 MB/s
Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Tiempo medio entre fallos 1500000 h
Peso y dimensiones
Ancho 80 mm
Profundidad 8,2 mm
Altura 24,3 mm
Peso 28 g
Control de energía
Consumo de energía (promedio) 5,4 W
Consumo de energía (max) 7,8 W
Voltaje de operación 3,3 V
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento 1500 G
TipoPrecioSIN_INFO

Características

InterfazPCI Express 4.0
Componente paraPC/Consola de videojuegos
Velocidad de lectura7450 MB/s
SDD, capacidad1000 GB
Factor de forma de disco SSDM.2
NVMeSi

Memoria

Velocidad de lectura7450 MB/s

Medios de almacenaje

SDD, capacidad1000 GB
  • VTEX

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